En una investigación colaborativa de nanoelectrónica verde dirigida por Koichi Fukada se desarrolló un modelo compacto para una simulación de circuito que ayuda a predecir el comportamiento de FETs de efecto tunel (Field-Effect Transistors).
Éste aparato simula características corriente-voltaje por medio de la predicción de la distribución del campo eléctrico en un FET de tunel y estimando la corriente. Este aparato puede ser incorporado en simuladores de circuitos mayores. Se espera que éste modelo contribuya al diseño de FETs apuntando a la realización de circuitos con poco poder.
Los detalles de ésta tecnología fueron presentados del 25 al 27 de Septiembre del 2012 en la Conferencia internacional de Dispositivos y Materiales de Estádo Sólido o SSDM por sus siglas en inglés que se llevó a cabo en Kyoto.
Para más información visitar: Nanowerk
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